盖世汽车讯 据外媒报道，GaNFast ™氮化镓（GaN）和 GeneSiC ™碳化硅（SiC）功率半体公司纳微半体（Navitas Semiconductor）宣布出其五代 GeneSiC 技术平台。该压（HV）碳化硅沟槽辅助平面（Trench-Assisted Planar，TAP）MOSFET 技术较前几代产品实现了显著的技术飞跃，并将提供 1200 伏 MOSFET 产品线。它具备先的能、稳定和质量辽宁海绵胶厂，能够为电动汽车、数据中心和可再生能源系统等功率应用提供快、低温、可靠的功率转换。

图片来源：纳微半体

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