在AI时代阳江橡塑专用胶，赚得盆满钵满的存储巨头们，正将行业景气度不断传递至其上游——半体设备环节。

　　近日，SK海力士签署了份达815.6亿韩元的半体设备供应同，作对象为韩国唯刻蚀设备供应商VM公司。经测，此次同的价值相当于该公司2024全年并营收的116。

　　据媒体援引知情人士消息，VM公司今年来自SK海力士等存储厂商的相关订单累计已达2246亿韩元。按照市场分析师此前预测，VM公司今年收入将在2200亿至2300亿韩元之间。公司管认为，2026年公司营收将创历史新。他表示：“产能扩张正在进行，因此今年可能会有多订单。”

　　VM公司订单快速起量并非个例，在近次摩根士丹利媒体会议上，美国半体设备制造龙头Lam Research席财务官Doug Bettinger表示：“自从3D NAND技术出后，Lam Research的营收翻了番。预计DRAM也将带来类似的营收增长机会。”

　　资料显示阳江橡塑专用胶，Lam Research在3D NAND等存储技术域具有定优势，这类技术能通过垂直堆叠提单位面积的存储密度。Doug Bettinger指出，如今半体架构正朝着3D向发展，除了NAND，DRAM也将从6F²过渡到4F²，并终发展成为3D DRAM。

　　有券商分析称，在AI力需求爆发背景下，HBM带动DRAM阶制程升，3D NAND向400层以上堆叠演进，使得单万片产能投资额同步提升。

　　东证券指出，随着堆叠层数的增加，刻蚀设备用量占比也将不断攀升。与2D NAND时代刻蚀仅作为光刻配套工序不同，3D NAND层数的增加要求刻蚀技术实现的宽比；此外，DRAM未来也有望向3D堆叠向发展，有望进步动刻蚀和薄膜沉积设备的需求量。

　　Lam Research预测，今年前道设备市场将增长23。为满足客户需求，该公司正在扩大包括马来西亚工厂在内的多工厂的产能。

　　▌设备工艺迎“升潮”

　　除了需求量攀升，泡沫板橡塑板专用胶半体设备工艺也有望随着存储技术的演进而水涨船。

　　据报道，随着HBM封装堆叠度不断增加，业界开始关注放宽半体封装规格的可能。日前，联电子器件工程委员会（JEDEC）正考虑将HBM封装的度标准从目前的约775微米提到900微米。

　　在近日举行的全球半体盛会SEMICON China 2026期间，韩美半体宣布出新代HBM生产设备“宽尺寸TC键机”。据介绍，这款设备能够随着HBM芯片面积的扩大阳江橡塑专用胶，稳定增加TSV（硅通孔）和I/O（输入/输出接口）的数量。通过增加连接DRAM芯片和中介层的微凸点数量，能够确保内存容量和带宽，并提能。

　　与此同时，北华创、中微公司等分别发布新代刻蚀设备，并不约而同提到存储技术发展对行业产生的影响：

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　　北华创表示，全球力与存储芯片需求的爆发，带动半体设备市场持续增长。其设备聚焦逻辑与存储域关键刻蚀工艺需求，可满足节点的芯片制造要求。

　　中微公司表示，随着存储芯片对宽比刻蚀的要求日益严苛，刻蚀设备面临着对刻蚀精度、均匀、宽比等多重挑战。

　　中信证券表示，考虑到本轮存储上行周期以及下游积的逻辑需求，预计2026年全球半体晶圆制造设备（WFE）市场规模将维持个位数百分比同比增长，且存储占比有望进步提升。

　　东吴证券认为，存储端层数3D堆叠对宽比刻蚀（HAR）、选择比刻蚀（ALE）以及ALD等原子沉积技术提出要求。刻蚀与薄膜沉积在前道设备中的价值占比位居前三，且随制程演进呈提升趋势。

　　该机构进步强调，多重曝光、金属材料替代及新型结构引入，使设备数量与工艺复杂度同步提升，设备投资呈现“技术节点越、单位投资越”的乘数应，核心平台型设备商与细分龙头有望持续受益。

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